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    LED技術(shù)突破

    :2018-03-06    :333
    美國研究人員制作無(wú)下垂LED
     
    香檳分校伊利諾伊大學(xué)的研究人員開(kāi)發(fā)了一種制造更明亮、更高效的綠色LED今年的新方法。使用工業(yè)標準的半導體生長(cháng)方法,在硅襯底上生長(cháng)氮化鎵(GaN)立方晶體,以產(chǎn)生用于固態(tài)照明的強大的綠光。
     
    “這項工作是非常革命的這為新型綠色波長(cháng)的發(fā)射器,可以針對先進(jìn)的固態(tài)照明在一個(gè)可擴展的CMOS硅平臺的新材料開(kāi)發(fā),立方氮化鎵,說(shuō):”可以Bayram,于伊利諾斯電氣和計算機工程的助理教授
     
    通常,氮化鎵形成兩種晶體結構之一:六方晶系或立方晶系。六方GaN在熱力學(xué)上是穩定的,傳統的半導體應用形式。然而,六方形式的GaN更容易極化,內部電場(chǎng)將帶負電的電子和帶正電的空穴分開(kāi),阻止它們結合,從而降低光輸出效率。
     
    巴伊蘭和他的研究生Richard Liu的研究引入了一個(gè)立方GaN晶體的形式,他們認為它可以使LED零下垂。對于綠色,藍色或紫外線(xiàn)LED,發(fā)光效率普遍下降,較高的電流輸入,其特點(diǎn)是“下垂”。
     
    進(jìn)一步閱讀的相關(guān)文章:研究人員使綠色LED更加明亮和高效。
     
    Ostendo Epilab推出世界上第一個(gè)全彩色的GaN基LED
     
    位于卡爾斯巴德加利福尼亞南部,Ostendo EpiLab推出了世界上第一個(gè)RGB LED?;贚ED的GaN技術(shù)使用三個(gè)特定的材料構成的量子結構發(fā)出不同顏色的光,顏色LED可以單獨或混合排放。傳統的LED通常是單色的,只能發(fā)出一個(gè)波長(cháng)。為了實(shí)現多彩的RGB照明效果,需要一個(gè)以上的LED來(lái)混合所需的顏色。
     
    顏色由LED所用的熒光粉涂層或襯底材料決定。只有少數研究人員試圖制造一種能夠發(fā)射全范圍RGB顏色的LED芯片。
     
    ostendo開(kāi)發(fā)下一代固態(tài)照明(SSL)為基礎的顯示技術(shù)和產(chǎn)品的商業(yè)和消費市場(chǎng)的目的在實(shí)現效率和成本效益的材料,設備和系統的水平。ostendo的有利的技術(shù)支持,在各自的市場(chǎng)顛覆性的產(chǎn)品。
     
    紫外LED曲面透鏡技術(shù)進(jìn)展
     
    重慶綠色智能在中國科學(xué)院公布了新的進(jìn)步,在紫外LED曲面透鏡技術(shù)所集成光學(xué)技術(shù)研究所,可應用于紫外光源接觸,PCB,液晶顯示器,甚至在觸摸屏的應用。中國研究院已獲得專(zhuān)利cn203642076u UV LED透鏡,和高度統一的UV LED曝光cn201420651432.4。
     
    傳統的平行光曝光機使用高壓水銀燈因為光源有很短的壽命為1000小時(shí),高功率消耗和污染物。用以取代汞燈光源的紫外發(fā)光二極管壽命幾乎是汞燈的50倍,可將能源消耗減少90%,大大降低生產(chǎn)成本,降低環(huán)境污染。
     
    該研究所在LED多個(gè)曲面的精密照明方面取得了重大突破,適用于紫外波段和非有機光學(xué)元件加工等關(guān)鍵技術(shù)。研制的初始階段是以紫外LED準直曝光機為基礎,準直半角度可控制在2°以?xún)?,照度分布不均勻小?%,光強可達40毫瓦/平方厘米。
     
    saphlux開(kāi)發(fā)新技術(shù)來(lái)解決問(wèn)題,Shuji Nakamura就
     
    于2014由來(lái)自耶魯大學(xué)的Jung Han教授,GaN材料供應商saphlux終于在2016年初提供了新的解決方案。該公司拒絕透露細節,因為它涉及到機密業(yè)務(wù)信息,最終擺脫了傳統的半極性氮化鎵材料增長(cháng)模型。該公司已能夠提供標準的大尺寸藍寶石襯底,可直接用于生長(cháng)半極化氮化鎵,并控制晶體的生長(cháng)方向和形狀。
     
    這項技術(shù)突破表明,該行業(yè)將能夠解決量子下垂的瓶頸,以及第一代LED材料的綠色差距,從而生產(chǎn)出高效的LED和激光器。



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